这两款新产品在设计上进行了全面的优化，旨在满足半导体晶圆检测、FPD 检测、高通量基因测序、生物荧光成像等行业日益增长的应用需求。它们不仅拥有更高的行频和量子效率，还实现了更好的片上集成度，从而为用户提供了更加出色的性能体验。

据新闻稿介绍，GLT5008BSI 和 GLT5016BSI 基于相同的先进架构进行设计，采用了 5 μm 的电荷域 TDI 像素设计，这一设计使得两款传感器在保持高性能的同时，还能有效降低功耗和噪声。此外，这两款传感器还片上集成了两个谱段，积分级数分别为 256 级 + 32 级，为用户提供了更加灵活的使用选择。

在性能参数方面，GLT5008BSI 的有效分辨率为 8208 像素，支持 10 bit 和 12 bit ADC 输出，最高行频分别可达 1M Hz 和 500k Hz，最高输出数据率为 86.4 Gbps。而 GLT5016BSI 则以更高的分辨率脱颖而出，其有效分辨率为 16416 像素，最高行频可达到 500k Hz，最高输出数据率更是高达 103.7 Gbps。两款产品均可采用 100GiGE 相机接口进行数据传输，为用户提供了高效、稳定的数据传输方案。

值得一提的是，这两款产品还针对不同应用进行了 ARC 优化设计。GLT5008BSI 采用了紫外谱段优化设计（UV），使其在紫外光检测方面表现出色；而 GLT5016BSI 则进行了可见光优化设计（VIS），更适合用于可见光成像应用。这种针对性的优化设计，使得两款传感器能够更好地满足各自应用领域的特定需求。

具体来说，GLT5016BSI 作为一款 16K 背照式 CMOS TDI 图像传感器，其水平方向有效分辨率为 16416，像素尺寸为 5 μm，最高满阱达到了 15 ke⁻。该传感器不仅具有优异的 anti-blooming 能力，还拥有大于 0.99996 的电荷转移效率（CTE），确保了图像的高质量和稳定性。此外，其最高级数支持 256 级，最高行频可达 500 kHz，在最高行频情况下功耗小于 6.4 W。为了确保高可靠性和良好的散热性能，GLT5016BSI 还采用了 415 引脚的 μPGA 陶瓷封装技术。

而 GLT5008BSI 则是一款 8K 背照式 CMOS TDI 图像传感器，其水平方向有效分辨率为 8208，像素尺寸为 5 μm，最高满阱为 17 ke⁻。该传感器同样具有优异的 anti-blooming 能力和大于 0.99993 的电荷转移效率（CTE）。得益于先进的背照式工艺和紫外量子效率优化工艺，GLT5008BSI 在 266 nm 处的量子效率大于 63.9%，峰值量子效率更是高达 93.4% @ 440 nm。